类别:FET-单,描述:MOSFETN-CH20VSOT23-3,系列:-,制造商:VishaySiliconix,FET型:MOSFETN通道,金属氧化物,FET特点:逻辑电平门,漏极至源极电压333Vdss444:20V,电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.1A,开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60毫欧
更新时间:2025-07-24 直链:si2302ads-t1-ge3.icpartno.51dzw.com
Copyright @ 2021 收录网大全 此内容系本站根据来路自动抓取的结果,不代表本站赞成被显示网站的内容或立场。
本页阅读量次 | 本站总访问次 | 本站总访客人 | 今日总访问次 | 今日总访客人 | 昨日总访问次 | 昨日总访客人 | 网站地图
技术支持:自动秒收录